MOSFET N Infineon 39 A 200 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO263-3 OptiMOS-TM6
- Code commande RS:
- 349-401
- Référence fabricant:
- IPB339N20NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-401
- Référence fabricant:
- IPB339N20NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 39A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | PG-TO263-3 | |
| Série | OptiMOS-TM6 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 33.9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15.9nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 39A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier PG-TO263-3 | ||
Série OptiMOS-TM6 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 33.9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15.9nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le transistor de puissance OptiMOS 6 d'Infineon 200 V est un MOSFET à canal N, de niveau normal, conçu pour les applications de puissance à haut rendement. Il offre une très faible résistance à l'état passant (RDS(on)), ce qui garantit des pertes de conduction minimales. Avec un excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM), il offre des performances de commutation supérieures. Ce MOSFET se caractérise également par une très faible charge de récupération inverse (Qrr), ce qui améliore le rendement global.
Placage sans plomb
Conforme à la directive RoHS
Sans halogène selon IEC61249-2-21
Classification MSL 1 selon J-STD-020
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