MOSFET canal N Infineon 53 A 650 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO247-4 IMZA65 Non
- Code commande RS:
- 351-871
- Référence fabricant:
- IMZA65R033M2HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
13,21 €
HT
15,85 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 210 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 13,21 € |
| 10 - 99 | 11,89 € |
| 100 + | 10,98 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 351-871
- Référence fabricant:
- IMZA65R033M2HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 53A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Puissance de sortie | 194W | |
| Série | IMZA65 | |
| Type de Boitier | PG-TO247-4 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 21.1mm | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 53A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Puissance de sortie 194W | ||
Série IMZA65 | ||
Type de Boitier PG-TO247-4 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 21.1mm | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Longueur 15.9mm | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET CoolSiC d'Infineon 650 V, 33 mΩ G2 en boîtier TO-247-4 s'appuie sur les points forts de la technologie de génération 1 et permet d'accélérer la conception de solutions plus optimisées en termes de coûts, plus efficaces, plus compactes et plus fiables. La génération 2 apporte des améliorations significatives en termes de facteurs de mérite pour les topologies à commutation dure et à commutation douce, adaptées à toutes les combinaisons courantes d'étages c.a.- c.c., c.c.-c.c. et c.c.-c.a.
Excellents facteurs de mérite (FdM)
Le meilleur de sa catégorie RDS(on)
Robustesse et qualité globale élevées
Plage de tensions de commande flexible
Prise en charge de la commande unipolaire (VGSoff=0)
Meilleure immunité contre les effets d'excitation
Amélioration de l'interconnexion des boîtiers avec .XT
Boîtier à 4 broches
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal Type N Infineon 144 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 IMZA65 Non
- MOSFET canal Type N Infineon 64 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 IMZA65 Non
- MOSFET canal Type N Infineon 32.8 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 IMZA65 Non
- MOSFET N Infineon 38 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC
- MOSFET N Infineon 46 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC
- MOSFET N Infineon 83 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC
- MOSFET N Infineon 103 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC
- MOSFET ROHM canal N 4 broches