MOSFETs simples canal FET DMOS vertical à canal N Microchip 450 mA 40 V Mode d'amélioration, 3 broches, TO-92-3
- Code commande RS:
- 598-144
- Référence fabricant:
- TN2504N8-G
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
1 824,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,912 € | 1 824,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 598-144
- Référence fabricant:
- TN2504N8-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | FET DMOS vertical à canal N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 450mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Série | TN2504 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.8Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 4.2mm | |
| Hauteur | 5.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal FET DMOS vertical à canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 450mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Série TN2504 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.8Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 4.2mm | ||
Hauteur 5.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor vertical à mode d'amélioration de canal N de Microchip est un dispositif à faible seuil, normalement hors tension, qui utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication de grille en silicium éprouvé. Cette combinaison fournit les capacités de gestion de l'alimentation des transistors bipolaires, ainsi que l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif caractéristiques des dispositifs MOS. Comme pour toutes les structures MOS, le dispositif est exempt de fuite thermique et de défaillance secondaire induite thermiquement.
Vitesses de commutation rapide
Faible résistance à l'état passant
Absence de claquage secondaire
Faibles fuites à l'entrée et à la sortie
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