MOSFETs simples canal FET DMOS vertical à canal N Microchip 350 mA 90 V Mode d'amélioration, 3 broches, TO-92-3
- Code commande RS:
- 598-308
- Référence fabricant:
- VN2450N8-G
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
2 712,00 €
HT
3 254,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,356 € | 2 712,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 598-308
- Référence fabricant:
- VN2450N8-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | FET DMOS vertical à canal N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 350mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 90V | |
| Type de Boitier | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Série | VN2450 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 4.19mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Hauteur | 5.33mm | |
| Longueur | 5.08mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal FET DMOS vertical à canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 350mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 90V | ||
Type de Boitier TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Série VN2450 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 4.19mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Hauteur 5.33mm | ||
Longueur 5.08mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor vertical à mode d'amélioration de canal N de Microchip utilise une structure à semi-conducteur en oxyde métallique (DMOS) à double diffusion verticale ainsi qu'un processus de fabrication de grille en silicium éprouvé. Cette combinaison garantit que l'appareil est exempt de défaillances secondaires et fonctionne avec une faible exigence de commande d'alimentation, ce qui le rend efficace et fiable pour diverses applications.
Facilité de mise en parallèle
Faible consommation d'énergie requise
Impédance d'entrée et gain élevés
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