MOSFETs simples canal FET DMOS vertical à canal N Microchip 350 mA 90 V Mode d'amélioration, 3 broches, TO-92-3

Le transistor MOSFET vertical en mode d'amélioration de canal P de Microchip est un transistor à faible seuil, normalement hors tension, qui utilise une structure DMOS verticale et le processus de fabrication éprouvé de la porte au silicium de Supertex. Cette combinaison fournit les capacités de gestion de l'alimentation des transistors bipolaires, ainsi que l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif inhérents aux dispositifs MOS. Comme pour toutes les structures MOS, ce dispositif est exempt de fuite thermique et de défaillance secondaire induite thermiquement, garantissant des performances robustes et fiables.

Absence de claquage secondaire