MOSFETs simples canal FET DMOS vertical à canal N Microchip 350 mA 90 V Mode d'amélioration, 3 broches, TO-92-3
- Code commande RS:
- 598-665
- Référence fabricant:
- VN2460N3-G
- Marque:
- Microchip
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Unité | Prix par unité | Le Sachet* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,356 € | 1 356,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 598-665
- Référence fabricant:
- VN2460N3-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | FET DMOS vertical à canal N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 350mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 90V | |
| Type de Boitier | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Série | VN2460 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5.08mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Largeur | 4.19mm | |
| Hauteur | 5.33mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal FET DMOS vertical à canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 350mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 90V | ||
Type de Boitier TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Série VN2460 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5.08mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Largeur 4.19mm | ||
Hauteur 5.33mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le transistor MOSFET vertical à mode d'amélioration de canal N de Microchip est un transistor à coupure normale qui utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication à porte de silicium éprouvé. Cette combinaison fournit les capacités de gestion de l'alimentation des transistors bipolaires tout en offrant l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif typiques des dispositifs MOS. Comme pour toutes les structures MOS, le dispositif est exempt de fuite thermique et de défaillance secondaire induite thermiquement, garantissant des performances fiables même dans des conditions exigeantes.
Absence de claquage secondaire
Faible consommation d'énergie requise
Facilité de mise en parallèle
Excellente stabilité thermique
Diode de drain de source intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés
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