MOSFETs simples canal FET DMOS vertical à canal N Microchip 450 mA 40 V Mode d'amélioration, 3 broches, TO-92-3
- Code commande RS:
- 598-673
- Référence fabricant:
- TN0104N8-G
- Marque:
- Microchip
Sous-total (2000 unités, sur une bobine de 2000)*
2 568,00 €
HT
3 082,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,284 € | 2 568,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 598-673
- Référence fabricant:
- TN0104N8-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | FET DMOS vertical à canal N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 450mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Série | TN0104 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.8Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 4.2mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 4.2mm | |
| Hauteur | 5.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal FET DMOS vertical à canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 450mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Série TN0104 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.8Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 4.2mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 4.2mm | ||
Hauteur 5.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor vertical à faible seuil à mode d'amélioration de canal N de Microchip est construit à l'aide d'une structure DMOS verticale et d'un processus de fabrication à porte de silicium bien établi. Cette conception combine les capacités de gestion de l'alimentation des transistors bipolaires avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif des dispositifs MOS. Comme toutes les structures MOS, ce dispositif est exempt de fuite thermique et de défaillance secondaire induite thermiquement.
Vitesses de commutation rapide
Faible résistance à l'état passant
Absence de claquage secondaire
Faibles fuites à l'entrée et à la sortie
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