MOSFET de puissance canal N Vishay 38 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK EF

Code commande RS:: 653-077
Référence fabricant:: SIHR100N60EF-T1GE3
Marque:: Vishay

MOSFET de puissance canal N Vishay 38 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK EF

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

9 684,00 €

11 622,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Dernier stock RS

3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	3,228 €	9 684,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 653-077
Référence fabricant:: SIHR100N60EF-T1GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de produit	MOSFET de puissance
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	38A
	Tension Drain Source maximum Vds	600V
	Série	EF
	Type de Boitier	PowerPAK
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.108Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	35nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	347W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	30V
	Tension directe Vf	1.2V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	8mm
	Longueur	10.42mm
	Normes/homologations	RoHS
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de produit MOSFET de puissance
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 38A
	Tension Drain Source maximum Vds 600V
	Série EF
	Type de Boitier PowerPAK
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.108Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 35nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 347W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 30V
	Tension directe Vf 1.2V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 8mm
	Longueur 10.42mm
	Normes/homologations RoHS
	Standard automobile Non

Datasheet - SIHR100N60EF-T1GE3

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de puissance série EF de Vishay, tension de source de drain de 600 V, courant de drain continu maximum de 38 A - SIHR100N60EF-T1GE3

Ce MOSFET de puissance est un commutateur à canal N haute tension conçu pour la conversion de puissance à montage en surface et les applications de commutation. Il fonctionne dans une large plage de températures adaptée aux environnements industriels exigeants et est destiné à une utilisation où une gestion robuste de la tension drain-source et une dissipation de puissance élevée sont nécessaires. Le composant est fourni dans un boîtier PowerPAK bas profil pour prendre en charge les configurations de carte compactes et une gestion thermique efficace.

Caractéristiques et avantages :

• Vds maximum de 600 V fournit une capacité de commutation haute tension • Le courant de drainage continu de 38 A permet une manipulation de charge substantielle • Le Rds(on) de 0,108 Ω minimise les pertes de conduction au courant nominal • Le Pd maximal de 347 W prend en charge les besoins de dissipation de puissance élevée • La charge de grille typique de 35 nC favorise des performances de commutation efficaces

Applications

• Adapté aux alimentations à découpage haute tension • Idéal pour les étages d'inverseur d'entraînement de moteur industriel • Utilisé pour les circuits de correction du facteur de puissance dans les systèmes c. a. • Peut être utilisé pour les convertisseurs c. c. - c. c. dans les équipements d'automatisation • Adapté à la commutation haute tension dans les unités de distribution d'alimentation

Quelles sont les limites à respecter pour la tension d'entraînement de grille?

La tension de la source de la grille ne doit pas dépasser 30 V pour éviter la contrainte diélectrique de la grille.

Comment l'endurance thermique se rapporte-t-elle aux limites de fonctionnement?

Le dispositif est conçu pour fonctionner jusqu'à une température de jonction de 150 °C, ce qui permet un fonctionnement continu dans des conditions thermiques élevées avec un dissipateur thermique de circuit imprimé approprié.

Quelle est la plage de température ambiante acceptable pour le déploiement?

Il prend en charge le fonctionnement jusqu'à -55 °C, ce qui le rend adapté aux environnements industriels à basse température.

Combien de broches le boîtier fournit-il pour la connexion de la carte?

Le composant utilise une configuration à 8 broches dans le boîtier à montage en surface PowerPAK.

Est-il destiné à la qualification automobile?

Il n'est pas spécifié comme conforme aux homologations des normes automobiles.