MOSFET de puissance canal N Vishay 38 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK E

Code commande RS:: 653-079
Référence fabricant:: SIHR100N60E-T1-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET de puissance canal N Vishay 38 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK E

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

9 264,00 €

11 118,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	3,088 €	9 264,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 653-079
Référence fabricant:: SIHR100N60E-T1-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id	38A
	Tension Drain Source maximum Vds	600V
	Type de Boitier	PowerPAK
	Série	E
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.105Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	347W
	Tension directe Vf	1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	30V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	34nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	8mm
	Normes/homologations	RoHS
	Longueur	10.42mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id 38A
	Tension Drain Source maximum Vds 600V
	Type de Boitier PowerPAK
	Série E
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.105Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 347W
	Tension directe Vf 1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 30V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 8mm
	Normes/homologations RoHS
	Longueur 10.42mm
	Standard automobile Non

Datasheet - SIHR100N60E-T1-GE3

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain maximale de 600 V, courant de drain continu maximal de 38 A - SIHR100N60E-T1-GE3

Ce MOSFET de puissance est un dispositif d'amélioration à canal N haute tension conçu pour les tâches de commutation et de commande dans l'électronique industrielle. Il fonctionne comme un transistor à montage en surface adapté à la conversion de puissance et aux environnements de commutation haute tension, offrant un équilibre entre la gestion de la tension et l'endurance thermique pour une utilisation dans les assemblages exigeants.

Caractéristiques et avantages :

• La valeur nominale drain-source de 600 V permet une capacité de commutation haute tension • Le courant de drain continu de 38 A prend en charge des courants de charge substantiels • Le Rds(on) de 0,105 Ω minimise les pertes de conduction pendant le fonctionnement • La dissipation de puissance de 347 W permet une charge thermique soutenue • La charge de grille typique de 34 nC permet un contrôle efficace de l'entraînement de grille • La plage de fonctionnement de -55 à 150 °C permet un fonctionnement à des températures extrêmes

Applications

• Convient aux convertisseurs de puissance haute tension dans l'automatisation industrielle • Idéal pour les extrémités avant d'entraînement de moteur nécessitant une commutation robuste • Utilisé pour les alimentations à découpage qui gèrent les tensions élevées • Peut être utilisé pour les étapes de correction du facteur de puissance dans les systèmes électriques • Utilisé avec les drivers de grille dans les conceptions d'onduleurs haute tension

Quel style de montage nécessite-t-il pour l'assemblage?

Il est conçu pour un montage en surface dans un boîtier PowerPAK, nécessitant des profils de refusion SMT standard et un plan de cuivre approprié pour la dissipation thermique.

Comment la tension de l'entraînement de grille affecte-t-elle la commutation?

Le dispositif tolère jusqu'à 30 V sur la grille par rapport à la source

l'utilisation des tensions de grille recommandées optimise la vitesse d'activation tout en évitant la surtension de grille.

Quelles sont les considérations thermiques nécessaires pour les applications à haute puissance?

Compte tenu de la puissance nominale de dissipation de 347 W, une surface de cuivre de circuit imprimé et des vias thermiques adéquates sont nécessaires pour transférer la chaleur loin du boîtier afin de maintenir les températures de jonction en dessous des limites maximales.

Ce dispositif est-il adapté aux conceptions automobiles?

Il n'est pas spécifié comme étant de qualité automobile, de sorte que l'adéquation dépend des exigences au niveau du système et de toute qualification supplémentaire nécessaire par le concepteur.