MOSFET de puissance canal N Vishay 32 A 650 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK E
- Code commande RS:
- 228-2871
- Référence fabricant:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 228-2871
- Référence fabricant:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 32A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | E | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 70mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 184W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 32A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série E | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 184W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain maximale de 650 V, courant de drain continu maximal de 32 A - SiHH080N60E-T1-GE3
Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation à canal N haute tension conçu pour la conversion de puissance et les tâches de commande à montage en surface. Il fonctionne dans une large plage ambiante et est destiné aux applications nécessitant une gestion importante du courant, une commutation efficace et un montage compact sur circuit imprimé. Le dispositif est fabriqué conformément aux normes environnementales RoHS et est fourni dans un boîtier PowerPAK pour un assemblage bas profil.
Caractéristiques et avantages :
• La capacité de drain de 650 V permet des applications à haute tension
• Le courant de drainage continu de 32 A permet de gérer les charges lourdes
• Rds(on) de 70 mΩ réduit les pertes de conduction sous charge
• La charge de grille typique de 42 nC permet des transitions de commutation plus rapides
• La dissipation de puissance de 184 W gère l'énergie thermique en fonctionnement
• La limite Vgs de 30 V permet des tensions de commande de grille standard
• Le courant de drainage continu de 32 A permet de gérer les charges lourdes
• Rds(on) de 70 mΩ réduit les pertes de conduction sous charge
• La charge de grille typique de 42 nC permet des transitions de commutation plus rapides
• La dissipation de puissance de 184 W gère l'énergie thermique en fonctionnement
• La limite Vgs de 30 V permet des tensions de commande de grille standard
Applications
• Adapté aux alimentations à découpage haute tension
• Idéal pour les étages d'inverseur de moteur industriel
• Utilisé avec les circuits PFC nécessitant des interrupteurs robustes
• Peut être utilisé pour les sections d'onduleurs à énergie renouvelable
• Convient aux assemblages d'alimentation compacts à montage en surface
• Idéal pour les étages d'inverseur de moteur industriel
• Utilisé avec les circuits PFC nécessitant des interrupteurs robustes
• Peut être utilisé pour les sections d'onduleurs à énergie renouvelable
• Convient aux assemblages d'alimentation compacts à montage en surface
Quelles sont les températures extrêmes que l'appareil peut tolérer en fonctionnement?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, s'adaptant aux environnements thermiques difficiles et aux températures de jonction élevées.
Comment le boîtier facilite-t-il l'assemblage des circuits imprimés et le comportement thermique?
Le boîtier à montage en surface PowerPAK offre un encombrement bas pour un placement automatisé et fournit un chemin thermique adapté au dissipateur thermique en cuivre sur le circuit imprimé.
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille nécessaires pour une commutation fiable?
Les circuits d'entraînement doivent respecter la valeur nominale de source de grille de ±30 V et être dimensionnés pour fournir la charge de grille typique de 42 nC pour la vitesse de commutation souhaitée et le contrôle IEM.
Ce dispositif est-il adapté aux systèmes automobiles?
Il n'est pas défini comme un dispositif conforme aux normes automobiles, de sorte que les concepteurs doivent vérifier les exigences de qualification avant de l'utiliser dans des programmes automobiles certifiés.
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