MOSFETs simples N Vishay 32 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK E

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Code commande RS:
653-083
Référence fabricant:
SIHR120N60E-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

32A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

E

Type de Boitier

PowerPAK

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.12Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

278W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

29nC

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance série E de 4e génération de Vishay est optimisé pour les applications de commutation hautes performances. Il offre un faible indice de mérite (FOM), une réduction des pertes de commutation et de conduction et une faible capacité effective. Emballé dans le PowerPAK 8x8LR compact, il est idéal pour une utilisation dans les serveurs, les télécommunications, l'éclairage et les alimentations industrielles.

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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