MOSFET de puissance canal N Vishay 38 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK E
- Code commande RS:
- 653-080
- Référence fabricant:
- SIHR100N60E-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 38A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | E | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.105Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 34nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 347W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 8mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 10.42mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 38A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série E | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.105Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 347W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 8mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 10.42mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain maximale de 600 V, courant de drain continu maximal de 38 A - SIHR100N60E-T1-GE3
Ce MOSFET de puissance est un dispositif d'amélioration à canal N haute tension conçu pour les tâches de commutation et de commande dans l'électronique industrielle. Il fonctionne comme un transistor à montage en surface adapté à la conversion de puissance et aux environnements de commutation haute tension, offrant un équilibre entre la gestion de la tension et l'endurance thermique pour une utilisation dans les assemblages exigeants.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 600 V permet une capacité de commutation haute tension • Le courant de drain continu de 38 A prend en charge des courants de charge substantiels • Le Rds(on) de 0,105 Ω minimise les pertes de conduction pendant le fonctionnement • La dissipation de puissance de 347 W permet une charge thermique soutenue • La charge de grille typique de 34 nC permet un contrôle efficace de l'entraînement de grille • La plage de fonctionnement de -55 à 150 °C permet un fonctionnement à des températures extrêmes
Applications
• Convient aux convertisseurs de puissance haute tension dans l'automatisation industrielle • Idéal pour les extrémités avant d'entraînement de moteur nécessitant une commutation robuste • Utilisé pour les alimentations à découpage qui gèrent les tensions élevées • Peut être utilisé pour les étapes de correction du facteur de puissance dans les systèmes électriques • Utilisé avec les drivers de grille dans les conceptions d'onduleurs haute tension
Quel style de montage nécessite-t-il pour l'assemblage?
Il est conçu pour un montage en surface dans un boîtier PowerPAK, nécessitant des profils de refusion SMT standard et un plan de cuivre approprié pour la dissipation thermique.
Comment la tension de l'entraînement de grille affecte-t-elle la commutation?
Le dispositif tolère jusqu'à 30 V sur la grille par rapport à la source
l'utilisation des tensions de grille recommandées optimise la vitesse d'activation tout en évitant la surtension de grille.
Quelles sont les considérations thermiques nécessaires pour les applications à haute puissance?
Compte tenu de la puissance nominale de dissipation de 347 W, une surface de cuivre de circuit imprimé et des vias thermiques adéquates sont nécessaires pour transférer la chaleur loin du boîtier afin de maintenir les températures de jonction en dessous des limites maximales.
Ce dispositif est-il adapté aux conceptions automobiles?
Il n'est pas spécifié comme étant de qualité automobile, de sorte que l'adéquation dépend des exigences au niveau du système et de toute qualification supplémentaire nécessaire par le concepteur.
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