MOSFET de puissance canal N Vishay 51 A 600 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK E

Code commande RS:: 653-177
Référence fabricant:: SIHM080N60E-T1-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET de puissance canal N Vishay 51 A 600 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK E

Actuellement indisponible

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Code commande RS:: 653-177
Référence fabricant:: SIHM080N60E-T1-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de produit	MOSFET de puissance
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	51A
	Tension Drain Source maximum Vds	600V
	Série	E
	Type de Boitier	PowerPAK
	Type de montage	Circuit imprimé
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.084Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	500W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	42nC
	Tension directe Vf	1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	30V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	RoHS
	Longueur	8mm
	Largeur	7.9mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de produit MOSFET de puissance
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 51A
	Tension Drain Source maximum Vds 600V
	Série E
	Type de Boitier PowerPAK
	Type de montage Circuit imprimé
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.084Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 500W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC
	Tension directe Vf 1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 30V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations RoHS
	Longueur 8mm
	Largeur 7.9mm
	Standard automobile Non

Datasheet - SIHM080N60E-T1-GE3

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 600 V, courant de drain de 51 A - SIHM080N60E-T1-GE3

Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation haute tension destiné aux applications de conversion de puissance et de commande dans l'électronique industrielle. Il fonctionne comme un transistor à canal N en mode d'amélioration conçu pour gérer des tensions de drain à la source élevées tout en fonctionnant sur des assemblages montés sur circuit imprimé. Sa construction est adaptée aux environnements thermiques exigeants et aux processus de fabrication standard.

Caractéristiques et avantages :

• Valeur nominale de 600 V pour les applications de commutation haute tension • Courant de drain continu de 51 A pour une manipulation de charge substantielle • Rds(on) de 0,084 Ω pour des pertes de conduction réduites • Charge de grille typique de 42 nC pour une taille de commande de grille prévisible • Dissipation de puissance de 500 W pour une capacité de gestion de puissance élevée • Température de fonctionnement maximale de 150 °C pour une tolérance aux températures élevées

Applications

• Convient aux alimentations à découpage dans l'automatisation industrielle • Idéal pour les étages d'inverseur à entraînement motorisé dans les équipements de fabrication • Utilisé pour les convertisseurs c. c. - c. c. haute tension dans la distribution d'alimentation • Peut être utilisé pour les topologies à commutation dure dans les plates-formes de test • Convient aux circuits intermédiaires dans les onduleurs à énergie renouvelable

Quel style de montage est nécessaire pour la mise en œuvre du circuit?

Il est conçu pour le montage sur circuit imprimé à l'aide d'un boîtier PowerPAK à quatre broches pour faciliter la connexion thermique et électrique.

Comment choisir les tensions d'entraînement de grille?

L'amplitude de l'entraînement de grille ne doit pas dépasser la limite de source de grille de ±30 V et doit être choisie pour équilibrer la vitesse de commutation avec la charge de grille de 42 nC pour contrôler les pertes.

Quelle est la plage de température ambiante dans laquelle il peut fonctionner ?

Le dispositif prend en charge un fonctionnement jusqu'à -55 °C et jusqu'à une température de jonction de 150 °C, ce qui permet une utilisation dans un large éventail de conditions environnementales.

Comment le boîtier contribue-t-il à la gestion thermique?

Le facteur de forme PowerPAK fournit un chemin thermique compact vers le circuit imprimé, aidant à dissiper jusqu'à la puissance spécifiée de 500 W dans le cadre de stratégies de refroidissement appropriées au niveau de la carte.