MOSFET de puissance canal N Vishay 51 A 600 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK E
- Code commande RS:
- 653-178
- Référence fabricant:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 51A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | E | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Type de montage | Circuit imprimé | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.084Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 7.9mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 51A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série E | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Type de montage Circuit imprimé | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.084Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 7.9mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 8mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 600 V, courant de drain de 51 A - SIHM080N60E-T1-GE3
Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation haute tension destiné aux applications de conversion de puissance et de commande dans l'électronique industrielle. Il fonctionne comme un transistor à canal N en mode d'amélioration conçu pour gérer des tensions de drain à la source élevées tout en fonctionnant sur des assemblages montés sur circuit imprimé. Sa construction est adaptée aux environnements thermiques exigeants et aux processus de fabrication standard.
Caractéristiques et avantages :
• Valeur nominale de 600 V pour les applications de commutation haute tension • Courant de drain continu de 51 A pour une manipulation de charge substantielle • Rds(on) de 0,084 Ω pour des pertes de conduction réduites • Charge de grille typique de 42 nC pour une taille de commande de grille prévisible • Dissipation de puissance de 500 W pour une capacité de gestion de puissance élevée • Température de fonctionnement maximale de 150 °C pour une tolérance aux températures élevées
Applications
• Convient aux alimentations à découpage dans l'automatisation industrielle • Idéal pour les étages d'inverseur à entraînement motorisé dans les équipements de fabrication • Utilisé pour les convertisseurs c. c. - c. c. haute tension dans la distribution d'alimentation • Peut être utilisé pour les topologies à commutation dure dans les plates-formes de test • Convient aux circuits intermédiaires dans les onduleurs à énergie renouvelable
Quel style de montage est nécessaire pour la mise en œuvre du circuit?
Il est conçu pour le montage sur circuit imprimé à l'aide d'un boîtier PowerPAK à quatre broches pour faciliter la connexion thermique et électrique.
Comment choisir les tensions d'entraînement de grille?
L'amplitude de l'entraînement de grille ne doit pas dépasser la limite de source de grille de ±30 V et doit être choisie pour équilibrer la vitesse de commutation avec la charge de grille de 42 nC pour contrôler les pertes.
Quelle est la plage de température ambiante dans laquelle il peut fonctionner ?
Le dispositif prend en charge un fonctionnement jusqu'à -55 °C et jusqu'à une température de jonction de 150 °C, ce qui permet une utilisation dans un large éventail de conditions environnementales.
Comment le boîtier contribue-t-il à la gestion thermique?
Le facteur de forme PowerPAK fournit un chemin thermique compact vers le circuit imprimé, aidant à dissiper jusqu'à la puissance spécifiée de 500 W dans le cadre de stratégies de refroidissement appropriées au niveau de la carte.
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