MOSFET N Vishay 12 A 600 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK 8 x 8 E

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210-4990
Référence fabricant:
SIHH240N60E-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

PowerPAK 8 x 8

Série

E

Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

208mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15nC

Dissipation de puissance maximum Pd

89W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

0.9mm

Longueur

7.9mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance série E de Vishay est doté d'un boîtier PowerPAK 8 x 8 avec une configuration unique.

Technologie série E de 4e génération

Facteur de mérite (FOM) faible Ron x Qg

Faible capacité effective (Co(er))

Pertes de conduction et de commutation réduites

Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)

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