MOSFET de puissance canal N Vishay 32 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK E
- Code commande RS:
- 653-084
- Référence fabricant:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- 653-084
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- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 32A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | E | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.12Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 29nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 278W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.42mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 32A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série E | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.12Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 29nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 278W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.42mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 8mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 600 V, courant de drain continu maximum de 32 A - SIHR120N60E-T1-GE3
Ce MOSFET de puissance est un transistor de commutation haute tension conçu pour la conversion et le contrôle de puissance à montage en surface dans les systèmes industriels. Il fonctionne comme un dispositif d'amélioration à canal N et est adapté aux applications nécessitant une tolérance thermique robuste et une gestion de puissance soutenue dans les environnements électriques exigeants.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de drain de 600 V permet des applications de commutation haute tension • Le courant continu de 32 A prend en charge des courants de charge substantiels • Le Rds(on) de 0,12 Ω minimise les pertes de conduction dans des conditions nominales • La dissipation de puissance de 278 W permet un débit de chaleur important • Vitesses de charge de grille typiques de 29 nC transitions de commutation • La température de jonction maximale de 150 °C supporte des contraintes thermiques élevées
Applications
• Convient aux étages de puissance d'entraînement de moteur haute tension • Idéal pour les alimentations à découpage dans les équipements industriels • Utilisé pour les convertisseurs c. a. / c. c. nécessitant une capacité de dissipation élevée • Peut être utilisé pour les circuits de commande de ballast électronique et d'éclairage • Convient pour la commutation d'alimentation dans les panneaux d'automatisation et de commande
Quel style de montage nécessite-t-il pour l'assemblage de la carte?
Il est fourni dans un boîtier à montage en surface PowerPAK sans plomb avec huit broches, destiné à la fixation par soudure aux terres de circuit imprimé et aux vias thermiques pour l'évacuation de la chaleur.
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille que je dois accepter?
La tolérance grille-source est de ±30 V, et la charge de grille typique de 29 nC nécessite un driver capable de fournir et de dissiper un courant suffisant pour la fréquence de commutation prévue.
Comment sa plage de températures affecte-t-elle le déploiement?
Le dispositif est spécifié pour fonctionner jusqu'à -55 °C et jusqu'à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans un large éventail de scénarios ambiants et de jonction surélevée à condition que la gestion thermique soit mise en œuvre.
Quelles sont les limites électriques qui protègent contre les surtensions ou la dissipation excessive?
La tension maximale drain-source est de 600 V et la dissipation de puissance nominale est de 278 W
les conceptions doivent inclure des chemins de serrage et thermiques appropriés pour empêcher le dépassement.
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