MOSFET de puissance canal N Vishay 32 A 650 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK E
- Code commande RS:
- 228-2873
- Référence fabricant:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
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TTC
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,25 € | 12,50 € |
| 20 - 48 | 5,19 € | 10,38 € |
| 50 - 98 | 4,88 € | 9,76 € |
| 100 - 198 | 4,625 € | 9,25 € |
| 200 + | 3,745 € | 7,49 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 228-2873
- Référence fabricant:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 32A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | E | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 70mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 184W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 32A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série E | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 184W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain maximale de 650 V, courant de drain continu maximal de 32 A - SiHH080N60E-T1-GE3
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drainage continu de 32 A permet de gérer les charges lourdes
• Rds(on) de 70 mΩ réduit les pertes de conduction sous charge
• La charge de grille typique de 42 nC permet des transitions de commutation plus rapides
• La dissipation de puissance de 184 W gère l'énergie thermique en fonctionnement
• La limite Vgs de 30 V permet des tensions de commande de grille standard
Applications
• Idéal pour les étages d'inverseur de moteur industriel
• Utilisé avec les circuits PFC nécessitant des interrupteurs robustes
• Peut être utilisé pour les sections d'onduleurs à énergie renouvelable
• Convient aux assemblages d'alimentation compacts à montage en surface
Quelles sont les températures extrêmes que l'appareil peut tolérer en fonctionnement?
Comment le boîtier facilite-t-il l'assemblage des circuits imprimés et le comportement thermique?
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille nécessaires pour une commutation fiable?
Ce dispositif est-il adapté aux systèmes automobiles?
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