MOSFET canal N Vishay 34 A 650 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK SO-8 SiH

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Code commande RS:
735-156
Référence fabricant:
SIHH068N60E-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

34A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Série

SiH

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

0.059Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

600V

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Dissipation de puissance maximum Pd

202W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

53nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

8mm

Largeur

8mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 60 V, optimisé pour la commutation à haut rendement dans les convertisseurs DC/DC de serveur d'alimentation AI et les circuits de redressement synchrones. Il atteint une très faible résistance à l'état passant de 1,7 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour des pertes de conduction minimales dans les applications à courant élevé

Courant de drainage continu de 94 A à TA = 25 °C

Charge de grille totale typique de 54,3 nC pour une commutation rapide

Plage de températures de jonction étendue de -55 à +175 °C

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