MOSFET de puissance canal N Vishay 8 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247AC EF
- Code commande RS:
- 653-136
- Référence fabricant:
- SIHG11N80AEF-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 653-136
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- SIHG11N80AEF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | TO-247AC | |
| Série | EF | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.483Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 41nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 78W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 16.25mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 20.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier TO-247AC | ||
Série EF | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.483Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 41nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 78W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 16.25mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 20.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série EF de Vishay, tension de source de drain de 800 V, dissipation de puissance de 78 W - SIHG11N80AEF-GE3
Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation haute tension à canal N conçu pour les tâches électroniques de puissance où une gestion robuste de la tension et un montage traversant sont nécessaires. Il fonctionne comme un transistor à mode d'amélioration adapté aux applications nécessitant une rupture drain-source élevée et des arrangements conventionnels d'entraînement de grille. Le boîtier prend en charge l'assemblage de fils-câbles et est destiné à l'intégration de systèmes industriels et électroniques.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de drain de 800 V permet des applications de commutation haute tension • Le courant de drain continu de 8 A prend en charge un débit de charge modéré • Le Rds(on) de 0,483 Ω minimise les pertes de conduction sous charge • La charge de grille 41 nC réduit l'énergie de commutation et les besoins d'entraînement • La dissipation de puissance de 78 W permet une charge thermique soutenue • L'entraînement de grille maximal de 30 V préserve l'intégrité de l'isolation de la grille
Applications
• Adapté aux alimentations haute tension et aux convertisseurs • Idéal pour les étages d'inverseur à entraînement motorisé dans les commandes industrielles • Utilisé pour l'électronique de puissance à découpage et les convertisseurs • Peut être utilisé pour les conceptions de PFC et de régulateurs boost de puissance moyenne
Quelle est la plage de température dans laquelle il peut fonctionner de manière fiable ?
Il est spécifié pour fonctionner entre -55 °C et 150 °C, s'adaptant aux environnements à démarrage à froid et à température élevée.
Comment le dispositif est-il monté dans les assemblages typiques?
Il est fourni dans un boîtier TO-247AC à trou traversant avec trois broches pour une fixation sécurisée de la carte et un montage de dissipateur thermique.
Quelles sont les contraintes d'entraînement de grille que les concepteurs doivent respecter?
La tension grille-source ne doit pas dépasser 30 V pour éviter d'endommager le diélectrique de grille.
Y a-t-il des considérations de manipulation pour la gestion thermique?
Le chiffre de dissipation de 78 W nécessite des pratiques de dissipation thermique et d'interface thermique appropriées pour maintenir les températures de jonction dans les limites spécifiées.
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