MOSFET de puissance canal N Vishay 13 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247AC E
- Code commande RS:
- 210-4983
- Référence fabricant:
- SIHG15N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 tube de 25 unités)*
50,40 €
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TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 2,016 € | 50,40 € |
| 50 - 100 | 1,895 € | 47,38 € |
| 125 + | 1,714 € | 42,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 210-4983
- Référence fabricant:
- SIHG15N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | TO-247AC | |
| Série | E | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 304mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 156W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 35nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 15.5mm | |
| Longueur | 28.6mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier TO-247AC | ||
Série E | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 304mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 156W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 35nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 15.5mm | ||
Longueur 28.6mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 800 V, dissipation de puissance maximale de 156 W - SIHG15N80AE-GE3
Caractéristiques et avantages :
• Courant de drain continu de 13 A pour une gestion prolongée de la charge
• Rds(on) de 304 mΩ pour réduire les pertes de conduction
• Dissipation maximale de 156 W pour un débit de puissance plus élevé
• Charge de grille typique de 35 nC pour un contrôle de commutation efficace
• Valeur nominale de la grille de 30 V pour la compatibilité avec les circuits de commande courants
Applications
• Utilisé pour les étages d'entraînement de moteur haute tension
• Idéal pour les alimentations à découpage dans les environnements industriels
• Peut être utilisé pour les tests de haute tension et les circuits de protection
• Convient pour un montage traversant robuste dans les panneaux de commande
Dans quelle plage de températures peut-il fonctionner de manière fiable ?
Quel boîtier et quelle méthode de montage utilise-t-il pour l'assemblage?
Comment sa caractéristique de grille affecte-t-elle les performances de commutation?
Quel est le comportement de la tension directe à attendre pendant la conduction?
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