MOSFET de puissance canal N Vishay 13 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 E
- Code commande RS:
- 210-4969
- Référence fabricant:
- SIHB15N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 210-4969
- Référence fabricant:
- SIHB15N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | E | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 304mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 35nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 156W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Longueur | 14.61mm | |
| Hauteur | 4.06mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série E | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 304mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 35nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 156W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 9.65mm | ||
Longueur 14.61mm | ||
Hauteur 4.06mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 800 V, courant de drain continu de 13 A - SIHB15N80AE-GE3
Ce MOSFET de puissance est un commutateur à canal N haute tension destiné aux applications de conversion de puissance et de commande à montage en surface. Il fonctionne dans une large plage ambiante et est conçu pour gérer des tensions élevées et des charges thermiques dans des systèmes électroniques exigeants tout en répondant aux exigences environnementales RoHS.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de drain de 800 V permet une capacité de commutation haute tension
• Le courant de drain continu de 13 A prend en charge des courants de charge substantiels
• Le Rds(on) de 304 mΩ minimise les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La dissipation de puissance de 156 W permet une gestion thermique soutenue
• La charge de grille typique de 35 nC permet une dimensionnement prévisible de l'entraînement de grille
• La tolérance de la grille de 30 V permet des tensions d'entraînement de grille robustes
• Le courant de drain continu de 13 A prend en charge des courants de charge substantiels
• Le Rds(on) de 304 mΩ minimise les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La dissipation de puissance de 156 W permet une gestion thermique soutenue
• La charge de grille typique de 35 nC permet une dimensionnement prévisible de l'entraînement de grille
• La tolérance de la grille de 30 V permet des tensions d'entraînement de grille robustes
Applications
• Utilisé pour les alimentations haute tension et les convertisseurs
• Convient aux étages d'entraînement de moteur industriel
• Idéal pour les interrupteurs primaires d'alimentation à découpage
• Peut être utilisé pour les modules de soudage ou de contrôle de puissance au plasma
• Utilisé avec les onduleurs haute tension dans les équipements industriels
• Convient aux étages d'entraînement de moteur industriel
• Idéal pour les interrupteurs primaires d'alimentation à découpage
• Peut être utilisé pour les modules de soudage ou de contrôle de puissance au plasma
• Utilisé avec les onduleurs haute tension dans les équipements industriels
Quel type de boîtier doit être pris en compte pour la gestion thermique sur les cartes?
Il est fourni dans un boîtier à montage en surface TO-263 qui offre un chemin thermique bas profil vers le cuivre de circuit imprimé pour le dissipateur thermique.
Comment le dispositif se comporte-t-il à des températures extrêmes?
Le dispositif est conçu pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans les environnements à démarrage à froid et à haute température.
Quelles sont les limites de l'entraînement de grille que les concepteurs doivent respecter?
La porte ne doit pas dépasser ±30 V par rapport à la source afin d'éviter d'endommager l'oxyde de porte et de garantir une commutation fiable.
Quelles sont les caractéristiques de conduction directe présentes lors de la conduction de diodes de corps?
La diode intrinsèque présente une tension directe d'environ 1,2 V lorsqu'elle conduit dans des conditions de polarité inversée.
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