MOSFET de puissance canal N Vishay 15 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 E

Code commande RS:: 210-4972
Référence fabricant:: SIHB17N80AE-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET de puissance canal N Vishay 15 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 E

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Code commande RS:: 210-4972
Référence fabricant:: SIHB17N80AE-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id	15A
	Tension Drain Source maximum Vds	800V
	Série	E
	Type de Boitier	TO-263
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	250mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	41nC
	Tension directe Vf	1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	30V
	Dissipation de puissance maximum Pd	179W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	9.65mm
	Longueur	14.61mm
	Normes/homologations	RoHS
	Hauteur	4.06mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id 15A
	Tension Drain Source maximum Vds 800V
	Série E
	Type de Boitier TO-263
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 250mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 41nC
	Tension directe Vf 1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 30V
	Dissipation de puissance maximum Pd 179W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 9.65mm
	Longueur 14.61mm
	Normes/homologations RoHS
	Hauteur 4.06mm
	Standard automobile Non

Datasheet - SIHB17N80AE-GE3

Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 800 V, courant de drain continu de 15 A - SIHB17N80AE-GE3

Ce MOSFET de puissance est un dispositif semi-conducteur à canal N haute tension conçu pour les tâches de commutation et de conversion de puissance dans les applications à montage en surface. Il fonctionne dans une large plage de températures et est destiné à une utilisation où une commutation haute tension robuste, une manipulation de courant modérée et un boîtier CMS compact sont nécessaires.

Caractéristiques et avantages :

• Tension drain-source maximale de 800 V permettant la commutation haute tension
• Courant de drain continu de 15 A pour une gestion de charge modérée
• La valeur Rds(on) de 250 mΩ minimise les pertes de conduction sous charge
• La dissipation de puissance de 179 W permet un fonctionnement à haute puissance
• Charge de grille typique de 41 nC pour un comportement de commutation prévisible
• La tension maximale de la source de la grille de 30 V garantit la marge de commande de la grille

Applications

• Adapté à la commutation haute tension côté primaire SMPS
• Idéal pour les étages de puissance haute tension industriels
• Utilisé avec les convertisseurs élévateurs nécessitant des dispositifs 800 V
• Peut être utilisé pour les extrémités avant de correction du facteur de puissance

Quelles extrêmes thermiques ce dispositif peut-il supporter en fonctionnement?

Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements présentant de grandes variations de température.

Quel type de boîtier et de montage dois-je prévoir sur la carte?

Le dispositif est fourni dans un boîtier TO-263 destiné au montage en surface sur les zones de dissipation thermique de la carte.

Combien de connexions électriques présente-t-il pour des considérations d'agencement?

Le composant est doté de trois broches, correspondant aux terminaisons de la porte, du drain et de la source pour le routage des circuits imprimés.

Qu'est-ce que le mode canal et comment affecte-t-il la commutation?

Le transistor est un dispositif à canal N à mode d'enrichissement, nécessitant un entraînement de grille positif par rapport à la source pour l'activer.