MOSFET de puissance canal N Vishay 15 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 E
- Code commande RS:
- 210-4971
- Référence fabricant:
- SIHB17N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 210-4971
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- SIHB17N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 15A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | E | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 250mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 41nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 179W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 4.06mm | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 14.61mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 15A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série E | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 250mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 41nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 179W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 4.06mm | ||
Largeur 9.65mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 14.61mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 800 V, courant de drain continu de 15 A - SIHB17N80AE-GE3
Ce MOSFET de puissance est un dispositif semi-conducteur à canal N haute tension conçu pour les tâches de commutation et de conversion de puissance dans les applications à montage en surface. Il fonctionne dans une large plage de températures et est destiné à une utilisation où une commutation haute tension robuste, une manipulation de courant modérée et un boîtier CMS compact sont nécessaires.
Caractéristiques et avantages :
• Tension drain-source maximale de 800 V permettant la commutation haute tension
• Courant de drain continu de 15 A pour une gestion de charge modérée
• La valeur Rds(on) de 250 mΩ minimise les pertes de conduction sous charge
• La dissipation de puissance de 179 W permet un fonctionnement à haute puissance
• Charge de grille typique de 41 nC pour un comportement de commutation prévisible
• La tension maximale de la source de la grille de 30 V garantit la marge de commande de la grille
• Courant de drain continu de 15 A pour une gestion de charge modérée
• La valeur Rds(on) de 250 mΩ minimise les pertes de conduction sous charge
• La dissipation de puissance de 179 W permet un fonctionnement à haute puissance
• Charge de grille typique de 41 nC pour un comportement de commutation prévisible
• La tension maximale de la source de la grille de 30 V garantit la marge de commande de la grille
Applications
• Adapté à la commutation haute tension côté primaire SMPS
• Idéal pour les étages de puissance haute tension industriels
• Utilisé avec les convertisseurs élévateurs nécessitant des dispositifs 800 V
• Peut être utilisé pour les extrémités avant de correction du facteur de puissance
• Idéal pour les étages de puissance haute tension industriels
• Utilisé avec les convertisseurs élévateurs nécessitant des dispositifs 800 V
• Peut être utilisé pour les extrémités avant de correction du facteur de puissance
Quelles extrêmes thermiques ce dispositif peut-il supporter en fonctionnement?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements présentant de grandes variations de température.
Quel type de boîtier et de montage dois-je prévoir sur la carte?
Le dispositif est fourni dans un boîtier TO-263 destiné au montage en surface sur les zones de dissipation thermique de la carte.
Combien de connexions électriques présente-t-il pour des considérations d'agencement?
Le composant est doté de trois broches, correspondant aux terminaisons de la porte, du drain et de la source pour le routage des circuits imprimés.
Qu'est-ce que le mode canal et comment affecte-t-il la commutation?
Le transistor est un dispositif à canal N à mode d'enrichissement, nécessitant un entraînement de grille positif par rapport à la source pour l'activer.
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