MOSFET de puissance canal N Vishay 25 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 E

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Code commande RS:
228-2841
Référence fabricant:
SIHB120N60E-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

25A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

E

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

120mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

179W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 650 V, courant de drain continu de 25 A - SIHB120N60E-T1-GE3


Ce MOSFET de puissance est un dispositif à canal N haute tension conçu pour les tâches de commutation et de conversion de puissance dans les assemblages à montage en surface. Il fonctionne sur une plage de températures étendue et est destiné aux applications exigeant une tolérance de tension et des performances thermiques importantes tout en respectant les directives RoHS.

Caractéristiques et avantages :


• La résistance drain-source de 650 V permet une commutation haute tension
• Le courant de drain continu de 25 A prend en charge des courants de charge substantiels
• La Rds(on) de 120 mΩ réduit les pertes de conduction dans les chemins d'alimentation
• La dissipation de puissance de 179 W permet une gestion soutenue de la charge thermique
• La tolérance de grille de 30 V permet des marges d'entraînement de grille robustes
• Charge de grille typique de 30 nC pour une énergie de commutation prévisible

Applications


• Adapté aux alimentations haute tension et aux convertisseurs
• Idéal pour les étapes de commutation d'entraînement de moteur industriel
• Utilisé pour la conversion c.c.-c.c. dans les équipements de télécommunications
• Peut être utilisé pour les circuits de correction du facteur de puissance
• Adapté pour la commutation d'onduleurs et de gestion de batterie

Quelle plage thermique ce dispositif peut-il tolérer pendant le fonctionnement?


Il est conçu pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements thermiques exigeants.

Comment le dispositif est-il emballé pour l'assemblage de circuits imprimés?


Il est fourni dans un boîtier à montage en surface TO-263 avec trois bornes pour un montage sur carte efficace et une dissipation thermique.

À quel comportement de commutation puis-je m'attendre en ce qui concerne l'entraînement de la grille?


Avec une tension de source de grille maximale de 30 V et une charge de grille typique de 30 nC, les exigences de commande de grille sont modérées et prévisibles pour les circuits de commande de grille courants.

Cette pièce est-elle adaptée aux applications automobiles?


Il n'est pas désigné pour les normes automobiles, de sorte qu'il ne doit pas être sélectionné lorsque la certification automobile est requise.

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