MOSFET de puissance canal N Vishay 24 A 650 V, 3 broches, TO-263 E
- Code commande RS:
- 256-7412
- Référence fabricant:
- SIHB24N65E-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
123,85 €
HT
148,60 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,477 € | 123,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 256-7412
- Référence fabricant:
- SIHB24N65E-GE3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 24A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | E | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.145Ω | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 122nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 24A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série E | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.145Ω | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 122nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 650 V, courant de drain continu de 24 A - SIHB24N65E-GE3
Caractéristiques et avantages :
• Courant de drain continu de 24 A pour une manipulation de charge substantielle
• Rds(on) de 0,145 Ω réduit les pertes de conduction sous charge
• Dissipation maximale de 250 W pour une capacité thermique haute puissance
• La chute de Vf vers l'avant de 1,2 V minimise les pertes de conduction de la diode
• La charge de grille 122 nC prend en charge des performances de commutation prévisibles
Applications
• Idéal pour les étapes de commutation d'entraînement de moteur industriel
• Utilisé avec les drivers de LED nécessitant une manipulation à haute tension
• Peut être utilisé pour la correction du facteur de puissance des extrémités avant
• Convient aux éléments de commutation primaires des onduleurs et des onduleurs
Quelles sont les limites de tension de grille à respecter lors de la conception?
Comment l'environnement thermique affecte-t-il la capacité de courant continu?
Quelle méthode de montage est nécessaire pour l'intégration des circuits imprimés?
Quelles sont les températures ambiantes extrêmes que l'appareil peut tolérer en fonctionnement?
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