MOSFET canal N Vishay 16 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 E Series
- Code commande RS:
- 735-205
- Référence fabricant:
- SIHB240N65E-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 735-205
- Référence fabricant:
- SIHB240N65E-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | E Series | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.24Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 147W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série E Series | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.24Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 147W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Largeur 9.65mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
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