MOSFET canal N Vishay 8 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 E
- Code commande RS:
- 210-4967
- Référence fabricant:
- SIHB11N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 210-4967
- Référence fabricant:
- SIHB11N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | E | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 391mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 78W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Longueur | 14.61mm | |
| Hauteur | 4.06mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série E | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 391mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 78W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.65mm | ||
Longueur 14.61mm | ||
Hauteur 4.06mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance série E de Vishay est doté d'un type de boîtier D2PAK (TO-263) avec une configuration simple.
Facteur de mérite (FOM) faible Ron x Qg
Faible capacité effective (Ciss)
Pertes de conduction et de commutation réduites
Très faible charge de grille (QG)
Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)
Protection ESD à diode Zener intégrée
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