MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 15 A 800 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 204-7227
- Référence fabricant:
- SIHB17N80E-GE3
- Marque:
- Vishay
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Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (par multiple de 5)
3,886 €
HT
4,663 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,886 € | 19,43 € |
| 25 - 45 | 3,498 € | 17,49 € |
| 50 - 120 | 3,108 € | 15,54 € |
| 125 - 245 | 2,838 € | 14,19 € |
| 250 + | 2,448 € | 12,24 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 204-7227
- Référence fabricant:
- SIHB17N80E-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET de puissance série E de Vishay est doté d'un faible facteur de mérite (FOM) Ron x Qg et d'une faible capacité d'entrée (Ciss).
Très faible charge de grille (QG)
Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)
Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 15 A |
| Tension Drain Source maximum | 800 V |
| Série | SiHB17N80E |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 0,29 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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