MOSFET canal N Vishay 17.4 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SIHB21N80AE
- Code commande RS:
- 735-129
- Référence fabricant:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 735-129
- Référence fabricant:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 17.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | SIHB21N80AE | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.205Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 48nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 179W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 0.42mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 0.355mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 17.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série SIHB21N80AE | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.205Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 48nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 179W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 0.42mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 0.355mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le MOSFET de puissance de Vishay offre un rendement élevé et des performances robustes dans les alimentations, adaptées aux applications exigeantes dans les environnements de serveurs et de télécommunications. Il est conçu pour optimiser la gestion de l'énergie et minimiser les pertes.
Faible capacité effective contribuant à des temps de réponse plus rapides
La configuration unique simplifie la conception et l'intégration
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