MOSFET canal N Vishay 17.4 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SIHB21N80AE

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Code commande RS:
735-128
Référence fabricant:
SIHB21N80AE-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

17.4A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

SIHB21N80AE

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.205Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

48nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

179W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

0.355mm

Longueur

0.42mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le MOSFET de puissance de Vishay est conçu pour un fonctionnement efficace dans les alimentations et autres applications, visant à réduire les pertes d'énergie et à améliorer la fiabilité.

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