MOSFET de puissance canal N Vishay 24 A 650 V, 3 broches, TO-263 E

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

5,95 €

HT

7,14 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 979 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 95,95 €
10 - 245,36 €
25 - 995,08 €
100 - 4994,48 €
500 +3,85 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
256-7413
Référence fabricant:
SIHB24N65E-GE3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

24A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-263

Série

E

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.145Ω

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

122nC

Température d'utilisation maximum

+150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 650 V, courant de drain continu de 24 A - SIHB24N65E-GE3


Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation à canal N haute tension conçu pour les applications de conversion de puissance et de commande à montage en surface. Il fonctionne dans une large plage de températures et est destiné à une utilisation où une manipulation de tension élevée, un courant continu important et un montage sur carte compact sont nécessaires.

Caractéristiques et avantages :


• Valeur nominale de drain de 650 V permettant les applications de commutation haute tension
• Courant de drain continu de 24 A pour une manipulation de charge substantielle
• Rds(on) de 0,145 Ω réduit les pertes de conduction sous charge
• Dissipation maximale de 250 W pour une capacité thermique haute puissance
• La chute de Vf vers l'avant de 1,2 V minimise les pertes de conduction de la diode
• La charge de grille 122 nC prend en charge des performances de commutation prévisibles

Applications


• Adapté aux alimentations haute tension et aux convertisseurs
• Idéal pour les étapes de commutation d'entraînement de moteur industriel
• Utilisé avec les drivers de LED nécessitant une manipulation à haute tension
• Peut être utilisé pour la correction du facteur de puissance des extrémités avant
• Convient aux éléments de commutation primaires des onduleurs et des onduleurs

Quelles sont les limites de tension de grille à respecter lors de la conception?


Le dispositif ne doit pas être piloté au-delà d'une tension maximale grille-source de 30 V afin d'éviter toute contrainte d'oxyde de grille.

Comment l'environnement thermique affecte-t-il la capacité de courant continu?


Le courant de drainage continu spécifié suppose une gestion thermique adéquate

sans dissipateur thermique suffisant ou sans voies thermiques de circuit imprimé, la capacité de courant effective sera réduite avant d'atteindre la limite de dissipation de 250 W.

Quelle méthode de montage est nécessaire pour l'intégration des circuits imprimés?


Il est fourni dans un boîtier TO-263 destiné à l'assemblage en surface et doit être soudé à une disposition de tampon de carte qui fournit une conduction thermique au plan en cuivre.

Quelles sont les températures ambiantes extrêmes que l'appareil peut tolérer en fonctionnement?


Le dispositif est conçu pour fonctionner de -55 à +150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements présentant une grande variation de température.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.