MOSFETs simples P Vishay -4.1 A -40 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 SQ2389CES AEC-Q101

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Code commande RS:
653-160
Référence fabricant:
SQ2389CES-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFETs simples

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

-4.1A

Tension Drain Source maximum Vds

-40V

Type de Boitier

SOT-23

Série

SQ2389CES

Type de montage

Montage sur circuit imprimé

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.094Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12nC

Dissipation de puissance maximum Pd

3W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

3.04mm

Normes/homologations

AEC-Q101

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET à canal P de qualité automobile de Vishay est conçu pour les applications de commutation compactes et basse tension. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 40 V et fonctionne de manière fiable à des températures de jonction jusqu'à 175 °C. Emballé dans un format SOT-23 à gain de place, il utilise la technologie TrenchFET pour des performances efficaces dans les environnements à contrainte thermique.

Homologué AEC Q101

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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