MOSFETs simples P Vishay -4.1 A -40 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 SQ2389CES AEC-Q101
- Code commande RS:
- 653-160
- Référence fabricant:
- SQ2389CES-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 653-160
- Référence fabricant:
- SQ2389CES-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -4.1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -40V | |
| Série | SQ2389CES | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | Circuit imprimé | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.094Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 2.64mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id -4.1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -40V | ||
Série SQ2389CES | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage Circuit imprimé | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.094Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12nC | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 2.64mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistors MOSFET simples série SQ2389CES de Vishay, tension de source de drain maximale de -40 V, courant de drain continu maximum de -4,1 A - SQ2389CES-T1_GE3
Ce dispositif MOSFET simple est un transistor à mode d'amélioration de canal P conçu pour une utilisation sur les circuits imprimés dans les environnements de commande automobile et industriel. Il fournit un fonctionnement à haute température et une faible tension directe pour les rôles de commutation et de protection dans les systèmes qui nécessitent un boîtier Compact SOT‐23 et une robustesse de qualité automobile.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de -40 V permet de gérer des tensions de rail négatives modérées pour la commutation
• Le RDS(on) de 0,094 Ω minimise les pertes de conduction pendant le fonctionnement de la charge
• Le courant de drain continu de 4,1 A prend en charge des charges de puissance modérées sur les circuits imprimés
• La charge de grille typique de 12 nC réduit l'énergie d'entraînement pour une commutation plus rapide
• La dissipation de puissance de 3 W permet un fonctionnement prolongé à des niveaux de puissance élevés
• La plage de -55 à 175 °C convient aux environnements thermiques étendus
• Le RDS(on) de 0,094 Ω minimise les pertes de conduction pendant le fonctionnement de la charge
• Le courant de drain continu de 4,1 A prend en charge des charges de puissance modérées sur les circuits imprimés
• La charge de grille typique de 12 nC réduit l'énergie d'entraînement pour une commutation plus rapide
• La dissipation de puissance de 3 W permet un fonctionnement prolongé à des niveaux de puissance élevés
• La plage de -55 à 175 °C convient aux environnements thermiques étendus
Applications
• Convient pour la commutation côté haut dans les modules électroniques automobiles
• Idéal pour la protection de charge dans les systèmes de gestion de batterie
• Utilisé pour la protection contre l'inversion de polarité dans l'électronique des véhicules
• Peut être utilisé pour la commutation d'alimentation dans les contrôleurs d'automatisation industrielle
• Idéal pour la protection de charge dans les systèmes de gestion de batterie
• Utilisé pour la protection contre l'inversion de polarité dans l'électronique des véhicules
• Peut être utilisé pour la commutation d'alimentation dans les contrôleurs d'automatisation industrielle
Quel emballage dois-je prévoir sur l'encombrement du circuit imprimé?
Le dispositif est fourni dans un boîtier SOT‐23 à trois fils, nécessitant un faible encombrement de montage en surface compatible avec les modèles de terre SOT‐23 standard.
Comment la tension d'entraînement de grille influence-t-elle l'utilisation dans les systèmes?
La porte peut être pilotée jusqu'à 20 V
garantir que les excursions de source de grille restent dans cette limite pour éviter la contrainte du dispositif.
Quelles sont les considérations thermiques qui s'appliquent pour un fonctionnement durable?
Avec une température de jonction maximale de 175 °C et une dissipation de 3 W, une gestion thermique telle que les versements de cuivre ou le dissipateur thermique est recommandée pour une utilisation continue à haute puissance.
Peut-il répondre aux exigences environnementales de l'industrie automobile?
Il est qualifié pour les tests de contrainte AEC‐Q101 et est conforme à la directive RoHS, en ligne avec les exigences des composants automobiles.
Quelles sont les caractéristiques de commutation attendues?
La charge de grille typique de 12 nC indique une charge modeste, prenant en charge une énergie d'entraînement relativement faible pour les transitions de commutation.
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