MOSFETs simples P Vishay -300 A -30 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK SQJ131ELP AEC-Q101

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Code commande RS:
653-169
Référence fabricant:
SQJ131ELP-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFETs simples

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

-300A

Tension Drain Source maximum Vds

-30V

Type de Boitier

PowerPAK

Série

SQJ131ELP

Type de montage

Circuit imprimé

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0030Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

207nC

Dissipation de puissance maximum Pd

500W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

AEC-Q101

Largeur

4.9mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET à canal P de qualité automobile de Vishay est conçu pour une commutation à haut rendement dans les environnements compacts et thermiquement exigeants. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 30 V à 175 °C, ce qui le rend idéal pour les systèmes d'alimentation automobiles robustes. Emballé dans PowerPAK SO-8L, il utilise la technologie TrenchFET pour un RDS(on) ultra-faible et des performances thermiques optimisées.

Homologué AEC Q101

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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