MOSFETs simples canal N Vishay 40 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIRA18DDP
- Code commande RS:
- 653-181
- Référence fabricant:
- SIRA18DDP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
531,00 €
HT
636,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,177 € | 531,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 653-181
- Référence fabricant:
- SIRA18DDP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 40A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | SIRA18DDP | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00683Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 17W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Largeur | 6.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 40A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série SIRA18DDP | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00683Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 17W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Largeur 6.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TH
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est optimisé pour une commutation à haut rendement dans les systèmes d'alimentation compacts. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 30 V. Emballé dans PowerPAK SO-8, il utilise la technologie TrenchFET Gen IV pour fournir un RDS(on) ultra-faible, une commutation rapide et d'excellentes performances thermiques.
Sans plomb
Sans halogène
Conformité RoHS
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