Références fabricant

MOSFETs simples canal N Vishay 62.8 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIS4406DN

Code commande RS:: 653-146
Référence fabricant:: SIS4406DN-T1-GE3
Marque:: Vishay

MOSFETs simples canal N Vishay 62.8 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIS4406DN

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 416,00 €

1 698,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,472 €	1 416,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 653-146
Référence fabricant:: SIS4406DN-T1-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de produit	MOSFETs simples
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	62.8A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	SIS4406DN
	Type de Boitier	PowerPAK
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.00475Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	33.7W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	23.7nC
	Tension directe Vf	1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	3.3mm
	Hauteur	0.41mm
	Largeur	3.3mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de produit MOSFETs simples
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 62.8A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série SIS4406DN
	Type de Boitier PowerPAK
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.00475Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 33.7W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 23.7nC
	Tension directe Vf 1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 3.3mm
	Hauteur 0.41mm
	Largeur 3.3mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Datasheet - SIS4406DN-T1-GE3

Pays d'origine :: CN

Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour la commutation à haut rendement dans les systèmes d'alimentation compacts. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 40 V. Emballé dans PowerPAK 1212-8, il utilise la technologie TrenchFET Gen IV pour fournir une charge de grille faible (Qg), une charge de sortie réduite (Qoss) et des performances de commutation optimisées.

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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