MOSFETs simples canal N Vishay 2.17 A 100 V Enrichissement, 3 broches, PowerPAK SI2122DS
- Code commande RS:
- 653-085
- Référence fabricant:
- SI2122DS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
405,00 €
HT
486,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,135 € | 405,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
Proposition de remplacement
Ce produit n'est pas disponible actuellement. Voici notre produit de remplacement:
1 bande de 1
0,28 €
HT
0,34 €
TTC
- Code commande RS:
- 653-085
- Référence fabricant:
- SI2122DS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.17A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | SI2122DS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.160Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.6W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.17A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série SI2122DS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.160Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.6W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour une commutation compacte et à haut rendement dans les applications à faible consommation. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 100 V. Emballé dans un format SOT-23, il utilise la technologie TrenchFET Gen IV pour un faible RDS(on), une commutation rapide et des performances thermiques efficaces dans les conceptions à espace limité.
Sans plomb
Sans halogène
Conformité RoHS
Utilisé dans le rétroéclairage à LED
Nos clients ont également consulté
- MOSFETs simples canal N Vishay 2.17 A 100 V Enrichissement PowerPAK SI2122DS
- MOSFETs simples canal N Vishay 18 A 150 V Enrichissement PowerPAK SIS5712DN
- MOSFETs simples canal N Vishay 18 A 150 V Enrichissement PowerPAK SIR5712DP
- MOSFETs simples canal N Vishay 25.7 A 100 V Enrichissement PowerPAK SIR4156LDP
- MOSFETs simples canal N Vishay 42.8 A 80 V Enrichissement PowerPAK SISS5812DN
- MOSFETs simples canal N Vishay 64 A 30 V Enrichissement PowerPAK SIRA14DDP
- MOSFETs simples canal N Vishay 5.9 A 100 V Enrichissement PowerPAK SIB4122DK
- MOSFETs simples canal N Vishay 81 A 30 V Enrichissement PowerPAK SIRA12DDP