MOSFETs simples canal N Vishay 18 A 150 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIS5712DN
- Code commande RS:
- 653-113
- Référence fabricant:
- SIS5712DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 653-113
- Référence fabricant:
- SIS5712DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | SIS5712DN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0555Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39.1W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | Lead (Pb)-Free | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série SIS5712DN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0555Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39.1W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Normes/homologations Lead (Pb)-Free | ||
Longueur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour la commutation à haut rendement dans les systèmes à forte densité de puissance. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 150 V. Emballé dans PowerPAK 1212-8, il utilise la technologie TrenchFET Gen V pour fournir un faible RDS(on), une charge de grille réduite et d'excellentes performances thermiques.
Sans plomb
Sans halogène
Conformité RoHS
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