MOSFET P Vishay 16.2 A 150 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiSS73DN

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Code commande RS:
188-4907
Référence fabricant:
SISS73DN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

16.2A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Série

SiSS73DN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

125mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14.6nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

65.8W

Tension directe Vf

-1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.3mm

Normes/homologations

No

Hauteur

780μm

Longueur

3.3mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET 150 V (D-S) à canal P.

TrenchFET ® avec technologie ThunderFET

Très faible RDS(on) minimise la perte de puissance due à la conduction

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