MOSFET P Vishay 108 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiSS05DN

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Code commande RS:
188-5013
Numéro d'article Distrelec:
304-38-851
Référence fabricant:
SiSS05DN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

108A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

SiSS05DN

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

5.8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

76nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +16V

Tension directe Vf

-1.1V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

65.7W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3.3mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.3mm

Hauteur

780μm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal P 30 V (D-S).

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