MOSFETs simples canal N Vishay 25.7 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIR4156LDP

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 362,00 €

HT

1 635,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Dernier stock RS
  • 6 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,454 €1 362,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Proposition de remplacement

Ce produit n'est pas disponible actuellement. Voici notre produit de remplacement:

Code commande RS:
653-190
Référence fabricant:
SIR4156LDP-T1-GE3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

25.7A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PowerPAK

Série

SIR4156LDP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.033Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.8nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

43W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.72mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.15mm

Longueur

6.15mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour la commutation à haut rendement dans les systèmes d'alimentation compacts. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 100 V. Emballé dans PowerPAK SO-8, il utilise la technologie TrenchFET Gen IV pour fournir un faible RDS(on), une commutation rapide et des performances thermiques optimisées.

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.