MOSFETs simples canal N Vishay 62.8 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIS4406DN
- Code commande RS:
- 653-147
- Référence fabricant:
- SIS4406DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 653-147
- Référence fabricant:
- SIS4406DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 62.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | SIS4406DN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00475Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 23.7nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 33.7W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Hauteur | 0.41mm | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 62.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série SIS4406DN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00475Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 23.7nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 33.7W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.3mm | ||
Hauteur 0.41mm | ||
Longueur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour la commutation à haut rendement dans les systèmes d'alimentation compacts. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 40 V. Emballé dans PowerPAK 1212-8, il utilise la technologie TrenchFET Gen IV pour fournir une charge de grille faible (Qg), une charge de sortie réduite (Qoss) et des performances de commutation optimisées.
Sans plomb
Sans halogène
Conformité RoHS
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