MOSFETs simples canal N ROHM 75 A 1.2 kV Enrichissement, 8 broches, TO-263-7LA SCT4018KWA
- Code commande RS:
- 687-342
- Référence fabricant:
- SCT4018KWATL
- Marque:
- ROHM
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- Code commande RS:
- 687-342
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- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | TO-263-7LA | |
| Série | SCT4018KWA | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 21V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 267W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 170nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.4mm | |
| Hauteur | 4.5mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 10.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier TO-263-7LA | ||
Série SCT4018KWA | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 21V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 267W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 170nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.4mm | ||
Hauteur 4.5mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 10.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TH
Le transistor MOSFET de puissance SiC à canal N de ROHM est conçu pour une gestion efficace de l'énergie dans une grande variété d'applications. Avec une tension drain-source maximale de 1 200 V et une faible résistance à l'état passant de 18 mΩ, ce MOSFET optimise les performances dans les systèmes à haut rendement tels que les inverseurs solaires et le chauffage par induction. Il offre une gestion thermique robuste avec une plage de températures de jonction atteignant 175 °C, garantissant un fonctionnement fiable même dans des environnements exigeants. L'appareil présente une vitesse de commutation rapide, ce qui le rend idéal pour les applications nécessitant une commutation à haute fréquence, améliorant ainsi l'efficacité et les performances globales du système.
La faible résistance à l'état passant garantit une perte d'énergie minimale pendant le fonctionnement
Prise en charge de vitesses de commutation rapides pour une meilleure efficacité
Conçu pour un fonctionnement parallèle facile, facilitant l'évolutivité
Les caractéristiques thermiques robustes permettent un fonctionnement dans des conditions extrêmes
Le placage de plomb sans plomb est conforme aux normes RoHS pour la sécurité environnementale
La large distance de fuite de 4,7 mm améliore la fiabilité dans les applications à haute tension
Idéal pour diverses applications, y compris les onduleurs solaires et les convertisseurs c.c./c.c.
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