MOSFETs simples canal N ROHM 40 A 1.2 kV Enrichissement, 8 broches, TO-263-7LA SCT4036KWA

Le transistor MOSFET de puissance SiC à canal N de ROHM est conçu pour les applications à haute performance nécessitant des capacités de commutation efficaces. Avec une tension maximale drain-source de 1 200 V et une résistance typique à l'état passant de 36 mΩ, ce dispositif excelle dans les environnements exigeants tels que les onduleurs solaires et les convertisseurs c.c./c.c. Sa conception robuste se caractérise par un courant de drain continu élevé de 40 A à 25 °C, ce qui lui confère une grande polyvalence dans diverses applications. L'appareil est optimisé pour une commutation rapide, ce qui permet d'améliorer l'efficacité. En outre, son placage de plomb sans plomb est conforme aux normes RoHS, ce qui garantit une approche respectueuse de l'environnement sans compromettre les performances.

Faible résistance à l'état passant pour une perte de puissance minimale pendant le fonctionnement