MOSFETs simples canal N ROHM 12 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSMT-8AG RQ3P120BKFRA AEC-Q101
- Code commande RS:
- 687-380
- Référence fabricant:
- RQ3P120BKFRATCB
- Marque:
- ROHM
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 687-380
- Référence fabricant:
- RQ3P120BKFRATCB
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | RQ3P120BKFRA | |
| Type de Boitier | HSMT-8AG | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 58mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 40W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 300mm | |
| Hauteur | 900μm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série RQ3P120BKFRA | ||
Type de Boitier HSMT-8AG | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 58mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 40W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.3mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 300mm | ||
Hauteur 900μm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- JP
Le MOSFET de puissance à canal N de ROHM est conçu pour une gestion efficace de l'énergie dans diverses applications. Capable de résister à des tensions drain-source allant jusqu'à 100 V et à des courants nominaux continus de ±12 A, ce MOSFET excelle en termes de densité de puissance et de résistance thermique. Le boîtier compact HSMT8AG réduit considérablement les besoins en espace sur le circuit imprimé de 64 %, ce qui en fait un choix idéal pour les conceptions électroniques modernes qui exigent fiabilité et efficacité. Avec la qualification AEC-Q101, il garantit un fonctionnement robuste dans les applications automobiles, répondant à un large éventail de cas d'utilisation, de l'ADAS aux solutions d'éclairage.
Le petit boîtier haute puissance optimise l'espace sur les circuits imprimés de 64 %
Haute fiabilité de montage grâce à des traitements innovants de terminaison et de placage
La qualification AEC Q101 garantit la fiabilité dans les applications automobiles
Conçu pour supporter une dissipation de puissance maximale de 40 W pour une gestion thermique efficace
La faible résistance à l'état passant de 58 mΩ améliore l'efficacité et les performances
La tolérance de tension de grille-source robuste de ±20 V élargit les possibilités d'intégration
La valeur nominale d'avalanche de 8 A et la dissipation d'énergie de 5,2 mJ fournissent une protection supplémentaire pendant le fonctionnement
Fonctionnement extrêmement fiable dans une plage de températures comprise entre -55 et +150 °C
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