MOSFET canal N ROHM 40 A 100 V Enrichissement, HSMT-8 RH6P040BH AEC-Q101

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Code commande RS:
252-3154
Référence fabricant:
RH6P040BHTB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

HSMT-8

Série

RH6P040BH

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

16.7nC

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS, Pb Free

Standard automobile

AEC-Q101

Rohms propose une série RH de MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'état passant et adapté pour la commutation. Il est sans halogène avec 100 % Rg et testé UIS avec une tension d'entrée de 100 V.

Plage de températures de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 à +150 °C

Montage sur une carte Cu

Le courant de drain est de 40 A

La dissipation de puissance est de 59 W

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