MOSFET canal N Vishay 85 A 12 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET

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Code commande RS:
735-237
Référence fabricant:
SISF12EDN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

85A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

3.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Dissipation de puissance maximum Pd

69.4W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

45.5nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Largeur

3.3mm

Longueur

3.3mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

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