MOSFET canal Double N Vishay 23.5 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8L TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
736-655
Référence fabricant:
SQJ968EP-T1_BE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Double N

Courant continu de Drain maximum Id

23.5A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

SO-8L

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.134Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

42W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1.07mm

Largeur

6.15mm

Longueur

5.13mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
DE

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