Modules MOSFET Demi-pont canal N Infineon 160 A 1200 V Enrichissement, 8 broches, AG-EASY2B. XHP 2 Non

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Code commande RS:
762-884
Référence fabricant:
FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

Modules MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

160A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

AG-EASY2B.

Série

XHP 2

Type de montage

Borne à vis

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

5.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.3μC

Dissipation de puissance maximum Pd

20mW

Tension directe Vf

5.35V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-23V

Configuration du transistor

Demi-pont

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

62.8mm

Largeur

48mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le module demi-pont MOSFET à canal N CoolSiC d'Infineon offre un courant de drain continu de 200 A. Il est doté d'une tension de rupture de 1 200 V et prend en charge un montage robuste avec des pinces intégrées et une technologie de contact.

Faibles pertes de commutation

Haute densité de courant

Attaches de montage intégrées

Capteur de température NTC

Matériau d'interface thermique préappliqué

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