Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 395 A 1200 V Enrichissement, 15 broches, AG-62MMHB XHP 2 Non

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Code commande RS:
762-897
Référence fabricant:
FF1MR12KM1HSHPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Modules MOSFET

Type de canal

Canal N

Courant continu de Drain maximum Id

395A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

AG-62MMHB

Série

XHP 2

Type de montage

Borne à vis

Nombre de broches

15

Résistance Drain Source maximum Rds

2.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.6μC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-23V

Dissipation de puissance maximum Pd

2300W

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension directe Vf

6.25V

Température d'utilisation maximum

125°C

Configuration du transistor

Demi-pont

Largeur

61.4mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Longueur

106.4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
HU
Le module demi-pont MOSFET Trench CoolSiC d'Infineon est doté d'une tension nominale de 1 200 V et prend en charge une densité de courant élevée. Il est adapté aux systèmes d'alimentation sans coupure, aux convertisseurs DC/DC, aux applications de commutation à haute fréquence, aux applications solaires, aux systèmes de stockage d'énergie (ESS) et aux chargeurs DC pour véhicules électriques.

Faibles pertes de commutation

Haute densité de courant

Qualifié pour les applications industrielles

Isolation 4 kV c. a. 1 min

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