Modules MOSFET Demi-pont canal N Infineon 1150 A 2300 V, 15 broches, XHP-2 XHP 2 Non
- Code commande RS:
- 762-937
- Référence fabricant:
- FF1400R23T2E7B5BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 762-937
- Référence fabricant:
- FF1400R23T2E7B5BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Modules MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1150A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 2300V | |
| Série | XHP 2 | |
| Type de Boitier | XHP-2 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Nombre de broches | 15 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.19mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 3.45V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2400KW | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10.5μC | |
| Configuration du transistor | Demi-pont | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 140mm | |
| Largeur | 100mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Modules MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1150A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 2300V | ||
Série XHP 2 | ||
Type de Boitier XHP-2 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Nombre de broches 15 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.19mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 3.45V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2400KW | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10.5μC | ||
Configuration du transistor Demi-pont | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 140mm | ||
Largeur 100mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module XHP 2 d'Infineon intègre la technologie TRENCHSTOP IGBT7 avec une diode 7 contrôlée par un émetteur et un NTC. Il est conçu pour les applications à haute performance, offrant une efficacité et une fiabilité supérieures dans les environnements électriques exigeants.
Faibles pertes de commutation
Haute densité de courant
Conception peu inductive
Haute densité de puissance
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